[BP/IT] 삼성전자. 단일 스택에서 100단 이상 구현한 ‘6세대(1xx) V낸드 SSD' 양산

BP's : 삼성전자가 6세대 3-bit V-NAND 기술을 적용한 250GB SATA SSD 양산을 발표.
업계 최초로 단일 스택에서 100단 이상으로 구성된 256Gbit 용량 3-bit V-NAND 플래시를 사용. 

이전세대(9x 층 단일 스택) 보다 약 40 % 이상의 셀 증량. 

일반적으로 적층 단수가 높아질수록 층간의 절연상태를 균일하게 유지하기 어렵고 전자의 이동경로도 길어져 낸드의 동작 오류가 증가해 데이터 판독시간이 지연되는 문제가 발생한다.

삼성전자는 속도 최적화 회로 설계를 통해 극복.

데이터 쓰기시간 450㎲ 이하, 읽기응답 대기시간 45㎲ 이하

이전 세대에서 10 % 이상 속도가 상승했고, 소비 전력은 오히려 15 % 이상 감소. 

속도 최적화 회로 설계를 통해 현재의 스택을 3개 조합해 300단 이상 차세대 V-NAND 솔루션을 구현할 수 있다.  

삼성전자는 이 밖에도 3bit V-NAND 기술 512Gb SSD와 UFS를 올해(2019 년) 후반에 출시 예정. 

내년에는 고속 대용량의 6 세대 V-NAND를 평택공장에서 생산할 예정이다. 

일본과 대결 양상이라 잘해주시길. 회사 경영 내용은 별개로... 

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